為什麼這份白皮書值得關注?

細晶銅具有較高的晶界密度，可在退火過程中支持原子的快速遷移。
然而，在製造集成過程中，晶圓或晶片需要經歷電鍍、化學機械拋光（CMP）、量測、對準和鍵合等工序，因此沉積層必須在整個流程中保持穩定。
本白皮書探討 Everplate® Cu 300 工藝如何在環境等待時間內穩定細晶沉積層，同時保留其對鍵合相關熱處理的回應能力。

您將瞭解到 
下載白皮書，深入瞭解：

•    混合鍵合為何越來越適用於細間距異構集成
•    銅微觀結構如何影響原子擴散和介面消除
•    Everplate® Cu 300 如何支持細晶穩定性和熱回應
•    通孔幾何形狀和種子層織構如何影響再結晶
•    研究結果對晶圓對晶圓（W2W）和晶片對晶圓（D2W）集成的意義
 

關鍵研究結果 

•    細晶結構在環境儲存超過四周的情況下仍保持穩定
•    在 200 ± 10 °C 條件下處理約兩小時後出現顯著晶粒生長
•    在評估的 300 °C、三小時退火後，電鍍銅中未報告孔洞形成
•    在 150 °C 條件下儲存 500 小時後，經評估的 Cu/Cu/Ni 疊層實現完整的銅-銅介面消除，且未檢測到孔洞
•    在測試結構中，較大的通孔直徑可提高細晶穩定性，而更大的通孔深度可加速再結晶

目標應用

本白皮書的研究結果適用於

•    晶圓對晶圓混合鍵合
•    晶片對晶圓混合鍵合
•    細間距 2.5D 和 3D 集成
•    基於 Chiplet 的架構
•    記憶體與邏輯晶片集成
•    高頻寬仲介層
•    人工智慧和高性能計算封裝

技術依據

本白皮書匯總了 SEM、FIB-SEM 和 EBSD 證據，用於評估環境條件下的晶粒穩定性、通孔幾何形狀影響、種子層織構、熱啟動以及銅-銅介面演變。

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